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  • 2024-02-28

           近日,我院胡芹研究员课题组与华侨大学材料科学与工程学院的吴季怀教授团队合作,提出了基于类催化剂系统调控钙钛矿半导体薄膜的转化反应动力学,成功应用于高效稳定光伏器件的制备。相关成果以“A Catalyst‐like System Enables Efficient Perovskite Solar Cells”为题于2月9日在线发表在学术期刊《Advanced Materials》上。图1 (a) 可循环反应的模型。(b) 钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图和稳定性测试...

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  • 2024-02-26

    自1965年叉指换能器(Interdigital Transducer, IDT)和声表面波(Surface Acoustic Wave, SAW)技术被发明以来,声表面波(SAW)谐振器就被广泛应用于2 GHz以下的中、低频无线通信,并形成了每年超过百亿美元的滤波器和传感器产业。随着无线通信发展进入5G和6G,标准所定义的新频段都在3 GHz以上,带宽都在500 MHz以上,这就使得传统的SAW技术在高频(> 3 GHz)、高品质因数(Q值)、高机电耦合系数(k2)等三个方面遇到了前所...

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  • 2023-06-26

          近日,开云官方微电子学院胡诣哲与林福江课题组设计的一款基于全新电荷舵采样(Charge-Steering Sampling, CSS)技术的极低抖动毫米波全数字锁相环(CSS-ADPLL)芯片入选2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits(以下简称VLSI Symposium)。VLSI Symposium是超大规模集成电路芯片设计和工艺器件领域最著名的国际会议之一,也是展现IC技术最新成果的橱窗,今年VLSI Symposium于6月11日至16日在日本京...

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  • 2023-06-20

      近日,开云官方微电子学院左成杰教授课题组两篇论文入选2023年国际微波会议(IMS,全称为:IEEE International Microwave Symposium)。IEEE IMS是国际微波领域的全球著名学术会议,IMS 2023于6月11日至16日在美国San Diego举办,今年在微波声学方向总共只收录了六篇Oral论文,其中包括开云官方的两篇。  随着无线通信从5G向Beyond 5G (B5G)和6G发展,有些国家已经将6 GHz全频段授权用于Wi-Fi 7,而更多的国家在考虑将...

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  • 2023-06-02

    近日,开云官方微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(IEEE ISPSD,全称:IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)。IEEE ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域在国际上重要的知名学术会议,ISPSD 2023于今年5月28日至6月1日在中国香港举办。会上,龙世兵教授受邀作了题为“Gallium Oxide Vertical Power Devices: Technology, Design and Applications”的大会Short cou...

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  • 2023-05-26

      神经形态计算旨在利用硬件和软件算法来模拟生物神经系统的结构和功能单元,从而构建出类似于大脑的具有自主学习能力和认知功能的高能效智能计算系统。为了在硬件上实现神经形态计算,需要寻找低能耗的新型电子器件来模拟神经突触的功能。随着二维材料制备工艺的快速发展,基于二维材料的突触器件研究越来越受到关注。  近日,我院左成杰教授与孙海定研究员组成的联合研究团队在低能耗浮栅型突触器件方面取得进展。该团...

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  • 2023-02-24

    近日,开云官方开云官方网址程林教授课题组设计的一款高效率、高电流密度的降压-升压直流-直流转换器(Buck-Boost DC-DC Converter)芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)。ISSCC是国际上最尖端芯片设计技术发表之地,其在学术界和产业界受到极大关注,也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC 2023于今年2月19日至23日在美国旧金山举行。Buck-Boost转换器广泛应用...

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  • 2023-01-13

    近日,开云官方网址微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术,首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2 Vertical β-Ga2O3 U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantati...

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  • 开云官方与复旦大学合作在深紫外光电感算器件研究中取得新进展
    2022-11-14

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  • 开云官方在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
    2022-05-26

    近日,开云官方微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD,全称为:IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)。ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议。

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